MOSFET Infineon, canale N 800 V, 360 mΩ Miglioramento, 13 A, 3 Pin, TO-220, Superficie

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Codice RS:
219-6010
Codice costruttore:
IPP80R360P7XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

13A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Tipo di package

TO-220

Serie

CoolMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

360mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

900mV

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

84W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

30nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

15.95mm

Lunghezza

10.36mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

4.57mm

Standard automobilistico

No

La serie di MOSFET a super giunzione Infineon 800V CoolMOS P7 è perfetta per applicazioni SMPS a bassa potenza soddisfacendo pienamente le esigenze del mercato in termini di prestazioni, facilità d'uso e rapporto prezzo/prestazioni. Si concentra principalmente sulle applicazioni flyback, tra cui adattatore e caricabatterie, driver LED, SMPS audio, AUX e potenza industriale. Questa nuova famiglia di prodotti offre un guadagno di efficienza fino allo 0,6% e una temperatura del MOSFET inferiore da 2 °C a 8 °C rispetto al modello precedente, nonché alle parti della concorrenza testate in applicazioni flyback tipiche. Consente inoltre progetti con maggiore densità di potenza grazie a minori perdite di commutazione e prodotti DPAK R DS(on) migliori. Nel complesso, aiuta i clienti a risparmiare sui costi delle distinte materiali e a ridurre gli sforzi di assemblaggio.

Facile da guidare e da progettare

Migliore resa di produzione grazie alla riduzione dei guasti legati alle ESD

Meno problemi di produzione e minori ritorni sul campo

Parti giuste facili da selezionare per la regolazione fine dei progetti

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