MOSFET Vishay, canale Tipo N 40 V, 5.1 mΩ Miglioramento, 114 A, 4 Pin, SO-8, Superficie SQJ152EP-T1_GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
228-2957
Codice costruttore:
SQJ152EP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

114A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

18nC

Dissipazione di potenza massima Pd

136W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di potenza da 40 V per uso automobilistico canale N TrenchFET Vishay.

Testato al 100% Rg e UIS

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