MOSFET Vishay, canale Tipo N 40 V, 8.5 mΩ Miglioramento, 32 A, 5 Pin, SO-8, Superficie SQJ412EP-T1_GE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

13,29 €

(IVA esclusa)

16,215 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 29 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 452,658 €13,29 €
50 - 1202,258 €11,29 €
125 - 2452,126 €10,63 €
250 - 4951,992 €9,96 €
500 +1,862 €9,31 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
787-9496
Codice costruttore:
SQJ412EP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

32A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

SQ Rugged

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.8V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Dissipazione di potenza massima Pd

83W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

5.03 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5mm

Altezza

1.14mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET canale N, serie Automotive SQ Rugged, Vishay Semiconductor


I MOSFET serie SQ di Vishay Semiconductor sono progettati per tutte le applicazioni automobilistiche che richiedono robustezza e un'elevata affidabilità.

Vantaggi dei MOSFET serie SQ Rugged


• Qualifica AEC-Q101

• Temperatura di giunzione fino a +175 °C

• Tecnologie TrenchFET® a canale N e canale P con bassa resistenza all'accensione

• Innovative opzioni per contenitore salvaspazio

Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


Approvals

AEC-Q101

Link consigliati