Codice costruttore

MOSFET Vishay, canale Tipo N 40 V, 8.5 mΩ Miglioramento, 32 A, 5 Pin, SO-8, Superficie SQJ412EP-T1_GE3

Codice RS:: 787-9496
Codice costruttore:: SQJ412EP-T1_GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale Tipo N 40 V, 8.5 mΩ Miglioramento, 32 A, 5 Pin, SO-8, Superficie SQJ412EP-T1_GE3

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50 - 120	2,58 €	12,90 €
125 - 245	2,432 €	12,16 €
250 - 495	2,278 €	11,39 €
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Codice RS:: 787-9496
Codice costruttore:: SQJ412EP-T1_GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	32A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	40V
	Tipo di package	SO-8
	Serie	SQ Rugged
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	5
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	8.5mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	83W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	80nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	0.8V
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Lunghezza	5mm
	Altezza	1.14mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	AEC-Q101

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 32A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V
	Tipo di package SO-8
	Serie SQ Rugged
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 5
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 8.5mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 83W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 0.8V
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Lunghezza 5mm
	Altezza 1.14mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico AEC-Q101

MOSFET canale N, serie Automotive SQ Rugged, Vishay Semiconductor

I MOSFET serie SQ di Vishay Semiconductor sono progettati per tutte le applicazioni automobilistiche che richiedono robustezza e un'elevata affidabilità.

Vantaggi dei MOSFET serie SQ Rugged

• Qualifica AEC-Q101

• Temperatura di giunzione fino a +175 °C

• Tecnologie TrenchFET® a canale N e canale P con bassa resistenza all'accensione

• Innovative opzioni per contenitore salvaspazio

Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor

Approvals

AEC-Q101

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