MOSFET Vishay, canale Tipo N 40 V, 8.5 mΩ Miglioramento, 32 A, 5 Pin, SO-8, Superficie

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Codice RS:
170-8303
Codice costruttore:
SQJ412EP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

32A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

SO-8

Serie

SQ Rugged

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.8V

Dissipazione di potenza massima Pd

83W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5mm

Larghezza

5.03 mm

Altezza

1.14mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET canale N, serie Automotive SQ Rugged, Vishay Semiconductor


I MOSFET serie SQ di Vishay Semiconductor sono progettati per tutte le applicazioni automobilistiche che richiedono robustezza e un'elevata affidabilità.

Vantaggi dei MOSFET serie SQ Rugged


• Qualifica AEC-Q101

• Temperatura di giunzione fino a +175 °C

• Tecnologie TrenchFET® a canale N e canale P con bassa resistenza all'accensione

• Innovative opzioni per contenitore salvaspazio

Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


Approvals

AEC-Q101

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