MOSFET Vishay, canale Tipo N 40 V, 4 mΩ Miglioramento, 123 A, 4 Pin, SO-8, Superficie SQJ152ELP-T1_GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
210-5047
Codice costruttore:
SQJ152ELP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

123A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

SO-8

Serie

SQJ152ELP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

22.5nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

136W

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.1mm

Larghezza

6.25 mm

Lunghezza

5mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET a canale N Vishay da 40 V (D-S) e 175 °C per uso automobilistico è dotato di contenitore tipo SO-8L PowerPAK con corrente di drain di 123 A.

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