MOSFET Vishay, canale N 40 V, 4 mΩ Miglioramento, 123 A, 4 Pin, SO-8, Superficie SQJ152ELP-T1_GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
210-5047
Codice costruttore:
SQJ152ELP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

123A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

SQJ152ELP

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

22.5nC

Tensione diretta Vf

1.1V

Dissipazione di potenza massima Pd

136W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5mm

Altezza

1.1mm

Larghezza

6.25mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET a canale N Vishay da 40 V (D-S) e 175 °C per uso automobilistico è dotato di contenitore tipo SO-8L PowerPAK con corrente di drain di 123 A.

MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV

Qualifica AEC-Q101

Testato al 100% Rg e UIS

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