MOSFET Vishay, canale N, 0,004 Ω, 123 A, PowerPAK SO-8L, Montaggio superficiale

Codice RS:: 210-5047
Codice costruttore:: SQJ152ELP-T1_GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 0,004 Ω, 123 A, PowerPAK SO-8L, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 210-5047
Codice costruttore:: SQJ152ELP-T1_GE3
Costruttore:: Vishay

Datasheet - SQJ152ELP-T1_GE3

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	123 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	PowerPAK SO-8L
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	4
Resistenza massima drain source	0,004 Ω
Tensione di soglia gate massima	1.2 → 2.2V
Numero di elementi per chip	1

MOSFET Vishay, canale N, 0,004 Ω, 123 A, PowerPAK SO-8L, Montaggio superficiale

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