MOSFET Vishay, canale Tipo N 40 V, 2.2 mΩ Miglioramento, 175 A, 4 Pin, SO-8, Superficie SQJ142ELP-T1_GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
210-5033
Codice costruttore:
SQJ142ELP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

175A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

SO-8

Serie

SQJ142ELP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

39nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

190W

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

5.26 mm

Altezza

1.12mm

Lunghezza

6.25mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET a canale N Vishay da 40 V (D-S) e 175 °C per uso automobilistico è dotato di contenitore tipo SO-8L PowerPAK con corrente di drain di 175 A.

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