MOSFET Vishay, canale Tipo N 40 V, 6.8 mΩ Miglioramento, 66 A, 4 Pin, SO-8, Superficie SQJ150EP-T1_GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
210-5045
Codice costruttore:
SQJ150EP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

66A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

SQJ150EP

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

65W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

1.1mm

Larghezza

6.25 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET a canale N Vishay da 40 V (D-S) e 175 °C per uso automobilistico è dotato di contenitore tipo SO-8L PowerPAK con corrente di drain di 66 A.

MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV

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