MOSFET Vishay, canale Tipo N 40 V, 2.8 mΩ Miglioramento, 167 A, 4 Pin, SO-8, Superficie SQJ142EP-T1_GE3

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Codice RS:
210-5036
Codice costruttore:
SQJ142EP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

167A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

SQJ142EP

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

32nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

191W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

1.1mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.25 mm

Lunghezza

5mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET a canale N Vishay da 40 V (D-S) e 175 °C per uso automobilistico è dotato di contenitore tipo SO-8L PowerPAK con una corrente di drain di 167 A.

MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV

Qualifica AEC-Q101

Testato al 100% Rg e UIS

Il rapporto QGD/QGS < 1 ottimizza le caratteristiche di commutazione

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