2 Array MOSFET Infineon Duale, canale Tipo N, 26 mΩ, 20 A 60 V, TDSON, Superficie Miglioramento, 8 Pin

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

1655,00 €

(IVA esclusa)

2020,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 20.000 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
5000 +0,331 €1.655,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
223-8521
Codice costruttore:
IPG20N06S4L26AATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

Array MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

TDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

26mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15nC

Dissipazione di potenza massima Pd

33W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Configurazione transistor

Duale

Larghezza

5.9 mm

Lunghezza

5.15mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

1mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET doppio a canale N serie OptiMOS Infineon ha una tensione da drain a source di Presenta i vantaggi di un collegamento del telaio del cavo sorgente più grande per il collegamento del filo e il collegamento del filo è 200um per un massimo di 20A di corrente.

Qualifica per uso automobilistico AEC Q101

MSL1 •fino a 260 °C Peak Reflow

Temperatura d'esercizio •175 °C.

•pacchetto verde

RDS ultra bassa •

Testato con effetto valanga •100%

Link consigliati