2 MOSFET Infineon Duale, canale N, 26 mΩ, 20 A 60 V, TDSON, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Codice RS:
223-8521
Codice costruttore:
IPG20N06S4L26AATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TDSON

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

26mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

33W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16V

Tensione diretta Vf

1.3V

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

5.9mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

5.15mm

Altezza

1mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET Infineon serie OptiMOS, tensione massima della sorgente di drenaggio di 60 V, corrente di drenaggio continua massima di 20 A - IPG20N06S4L26AATMA1


Questo MOSFET è un transistor a doppio canale N a montaggio superficiale progettato per la commutazione e il controllo di potenza in ambienti difficili. Combina basse perdite di conduzione con modesti requisiti di azionamento del gate per supportare applicazioni ad alta corrente in sistemi automobilistici e industriali in cui la tolleranza alla temperatura e l'imballaggio compatto sono importanti.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale di drenaggio di 60 V consente applicazioni di commutazione a media tensione
• La corrente di drenaggio continua di 20 A supporta correnti di carico sostanziali
• L'Rds(on) di 26 mΩ riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento
• La carica tipica del gate di 15 nC riduce al minimo l'energia dell'azionamento del gate
• La dissipazione di potenza massima di 33 W consente una gestione del calore significativa
• La protezione massima gate-source a 16 V preserva l'integrità del gate

Applicazioni


• Adatto per le fasi di potenza automobilistiche che richiedono la qualifica AEC-Q101
• Utilizzato per convertitori CC-CC nei sistemi dei veicoli
• Ideale per circuiti a mezzo ponte con azionamento a motore su schede compatte
• Può essere utilizzato per la commutazione di carichi ad alta corrente nel controllo industriale
• Utilizzato con progetti di gestione termica per temperature d'esercizio elevate

Quale tipo di contenitore viene utilizzato per l'implementazione del circuito stampato compatto?


Viene fornito in un contenitore TDSON a 8 pin adatto per il montaggio superficiale.

Quanto è in grado di resistere a temperature ambientali elevate?


Il dispositivo è classificato per funzionare fino a una temperatura d'esercizio massima di 175 °C.

Quali sono i limiti di protezione dell'elettrodo gate?


Le escursioni gate sono limitate da una tensione massima gate-source di 16 V.

Quanti elementi transistor sono presenti per chip?


Ci sono due elementi per chip nella configurazione doppia.

Quali sono gli standard ambientali o dei materiali che soddisfa?


Il componente è dotato di omologazione RoHS per la conformità alle sostanze soggette a restrizioni.

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