MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 0.054 Ω Miglioramento, 34 A, 20 Pin, PG-DSO-20, Superficie IGOT65R045D2AUMA1

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Codice RS:
351-880
Codice costruttore:
IGOT65R045D2AUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

34A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

PG-DSO-20

Serie

IGOT65

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

20

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.054Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±10 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6nC

Dissipazione di potenza massima Pd

109W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

JEDEC

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
ID
Il transistor di potenza Infineon GaN consente di aumentare l'efficienza nel funzionamento ad alta frequenza. Come parte della famiglia G5 CoolGaN da 650 V, soddisfa i più elevati standard di qualità, consentendo progetti altamente affidabili con un'efficienza superiore. Alloggiato in un pacchetto DSO raffreddato dall'alto, è progettato per una dissipazione di potenza ottimale in varie applicazioni industriali.

Transistor di potenza e-mode da 650 V

Commutazione ultraveloce

Nessuna carica di recupero inversa

Capacità di conduzione inversa

Bassa carica di gate, bassa carica di uscita

Robustezza di commutazione superiore

Basso valore dinamico di RDS(on)

Elevata robustezza ESD: 2 kV HBM - 1 kV CDM

Pacchetto raffreddato sul lato superiore

Qualificato JEDEC (JESD47, JESD22)

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