MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 0.054 Ω Miglioramento, 34 A, 20 Pin, PG-DSO-20, Superficie IGOT65R045D2AUMA1
- Codice RS:
- 351-880
- Codice costruttore:
- IGOT65R045D2AUMA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 351-880
- Codice costruttore:
- IGOT65R045D2AUMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 34A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | PG-DSO-20 | |
| Serie | IGOT65 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 20 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.054Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 6nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 109W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±10 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | JEDEC | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 34A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package PG-DSO-20 | ||
Serie IGOT65 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 20 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.054Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 6nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 109W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±10 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni JEDEC | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- ID
Il transistor di potenza Infineon GaN consente di aumentare l'efficienza nel funzionamento ad alta frequenza. Come parte della famiglia G5 CoolGaN da 650 V, soddisfa i più elevati standard di qualità, consentendo progetti altamente affidabili con un'efficienza superiore. Alloggiato in un pacchetto DSO raffreddato dall'alto, è progettato per una dissipazione di potenza ottimale in varie applicazioni industriali.
Transistor di potenza e-mode da 650 V
Commutazione ultraveloce
Nessuna carica di recupero inversa
Capacità di conduzione inversa
Bassa carica di gate, bassa carica di uscita
Robustezza di commutazione superiore
Basso valore dinamico di RDS(on)
Elevata robustezza ESD: 2 kV HBM - 1 kV CDM
Pacchetto raffreddato sul lato superiore
Qualificato JEDEC (JESD47, JESD22)
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