Transistor di potenza Infineon 600 V, 70 mΩ Miglioramento, 60 A, 20 Pin, PG-DSO-20-85, Superficie IGO60R070D1AUMA2

Visualizza MOSFET
Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
Codice RS:
273-2751
Codice costruttore:
IGO60R070D1AUMA2
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Transistor di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

CoolGaN

Tipo di package

PG-DSO-20-85

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

20

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

70mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5.8nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

4.5 V

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Quello di Infineon è un transistor di potenza al nitruro di gallio CoolGaN™ a 600 V in modalità di potenziamento. Questo transistor di potenza offre rapidità di accensione e spegnimento, perdite di commutazione minime e consente di realizzare semplici topologie a semiponte con la massima efficienza. La serie CoolGaN™ 600 V al nitruro di gallio è qualificata secondo un sistema di qualificazione completo su misura per il GaN che va ben oltre gli standard esistenti. Si rivolge a SMPS per Datacom e server, telecomunicazioni, adattatori, caricabatterie, ricarica wireless e numerose altre applicazioni che richiedono la massima efficienza o densità di potenza.

Riduce le EMI

Riduzione dei costi di sistema

Capacità di conduzione inversa

Robustezza di commutazione superiore

Consente una frequenza operativa più elevata

Bassa carica di gate e bassa carica di uscita

Link consigliati