MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 0.053 Ω Miglioramento, 61 A, 20 Pin, PG-DSO-20, Superficie IGOT65R025D2AUMA1

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Codice RS:
351-883
Codice costruttore:
IGOT65R025D2AUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

61A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

PG-DSO-20

Serie

IGOT65

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

20

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.053Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

11nC

Dissipazione di potenza massima Pd

184W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

JEDEC for Industrial Applications

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
ID
Il transistor di potenza Infineon GaN consente di aumentare l'efficienza nel funzionamento ad alta frequenza. Come parte della famiglia G5 CoolGaN da 650 V, soddisfa i più elevati standard di qualità, consentendo progetti altamente affidabili con un'efficienza superiore. Alloggiato in un pacchetto DSO raffreddato dall'alto, è progettato per una dissipazione di potenza ottimale in varie applicazioni industriali.

Transistor di potenza e-mode da 650 V

Commutazione ultraveloce

Nessuna carica di recupero inversa

Capacità di conduzione inversa

Bassa carica di gate, bassa carica di uscita

Robustezza di commutazione superiore

Basso valore dinamico di RDS(on)

Elevata robustezza ESD: 2 kV HBM - 1 kV CDM

Pacchetto raffreddato sul lato superiore

Qualificato JEDEC (JESD47, JESD22)

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