MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 0.075 Ω Miglioramento, 44 A, 20 Pin, PG-DSO-20, Superficie IGOT65R035D2AUMA1
- Codice RS:
- 351-882
- Codice costruttore:
- IGOT65R035D2AUMA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 351-882
- Codice costruttore:
- IGOT65R035D2AUMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 44A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | PG-DSO-20 | |
| Serie | IGOT65 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 20 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.075Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 134W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 7.7nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 10V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | JEDEC for Industrial Applications | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 44A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package PG-DSO-20 | ||
Serie IGOT65 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 20 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.075Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 134W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 7.7nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 10V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni JEDEC for Industrial Applications | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- ID
Il transistor di potenza Infineon GaN consente di aumentare l'efficienza nel funzionamento ad alta frequenza. Come parte della famiglia G5 CoolGaN da 650 V, soddisfa i più elevati standard di qualità, consentendo progetti altamente affidabili con un'efficienza superiore. Alloggiato in un pacchetto DSO raffreddato dall'alto, è progettato per una dissipazione di potenza ottimale in varie applicazioni industriali.
Transistor di potenza e-mode da 650 V
Commutazione ultraveloce
Nessuna carica di recupero inversa
Capacità di conduzione inversa
Bassa carica di gate, bassa carica di uscita
Robustezza di commutazione superiore
Basso valore dinamico di RDS(on)
Elevata robustezza ESD: 2 kV HBM - 1 kV CDM
Pacchetto raffreddato sul lato superiore
Qualificato JEDEC (JESD47, JESD22)
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