Transistor di potenza Infineon 600 V, 70 mΩ Miglioramento, 15 A, 8 Pin, PG-LSON-8-1, Superficie IGLD60R070D1AUMA3

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Codice RS:
273-2749
Codice costruttore:
IGLD60R070D1AUMA3
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Transistor di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

15A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

CoolGaN

Tipo di package

PG-LSON-8-1

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

70mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-10 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5.8nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

114W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Quello di Infineon è un transistor di potenza al nitruro di gallio CoolGaN™ a 600 V in modalità di potenziamento. Questo transistor di potenza offre rapidità di accensione e spegnimento, perdite di commutazione minime e consente di realizzare semplici topologie a semiponte con la massima efficienza. La serie CoolGaN™ 600 V al nitruro di gallio è qualificata secondo un sistema di qualificazione completo su misura per il GaN che va ben oltre gli standard esistenti. Si rivolge a SMPS per Datacom e server, telecomunicazioni, adattatori, caricabatterie, ricarica wireless e numerose altre applicazioni che richiedono la massima efficienza o densità di potenza.

Riduce le EMI

Riduzione dei costi di sistema

Capacità di conduzione inversa

Robustezza di commutazione superiore

Consente una frequenza operativa più elevata

Bassa carica di gate e bassa carica di uscita

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