Transistor di potenza Infineon, canale Tipo N 135 V, 2 mΩ Miglioramento, 297 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie
- Codice RS:
- 349-120
- Codice costruttore:
- IPT020N13NM6ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 349-120
- Codice costruttore:
- IPT020N13NM6ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | Transistor di potenza | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 297A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 135V | |
| Tipo di package | PG-HSOF-8 | |
| Serie | IPT | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 2mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 159nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 39W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | IEC61249-2-21, J-STD-020, RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto Transistor di potenza | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 297A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 135V | ||
Tipo di package PG-HSOF-8 | ||
Serie IPT | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 159nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 39W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni IEC61249-2-21, J-STD-020, RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
Il transistor di potenza OptiMOS 6 Infineon è un MOSFET a canale N, di livello normale, progettato per applicazioni di commutazione di potenza efficienti. Il dispositivo offre un valore molto basso di resistenza totale tra fonte e uscita (RDS(on)), riducendo le perdite di conduzione e migliorando le prestazioni complessive. Con un eccellente prodotto carica di gate x RDS(on) (FOM), garantisce un'efficienza di commutazione superiore. Il MOSFET presenta inoltre una carica di recupero inversa (Qrr) molto bassa per una migliore efficienza durante gli eventi di commutazione.
Dispositivo ottimizzato per gli azionamenti dei motori e le applicazioni a batteria
Placcatura senza piombo
Conforme alla direttiva RoHS
Senza alogeni secondo la norma IEC61249-2-21
MSL 1 classificato secondo la norma J-STD-020
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