Transistor di potenza Infineon, canale Tipo N 200 V, 6.7 mΩ Miglioramento, 137 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie
- Codice RS:
- 349-130
- Codice costruttore:
- IPT067N20NM6ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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Prezzo per 1 unità*
7,96 €
(IVA esclusa)
9,71 €
(IVA inclusa)
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 9 | 7,96 € |
| 10 - 99 | 7,16 € |
| 100 - 499 | 6,60 € |
| 500 - 999 | 6,13 € |
| 1000 + | 5,48 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 349-130
- Codice costruttore:
- IPT067N20NM6ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | Transistor di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 137A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 200V | |
| Tipo di package | PG-HSOF-8 | |
| Serie | IPT | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 6.7mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 71nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 300W | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | J-STD-020, IEC61249-2-21, 100% Avalanche Tested, RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto Transistor di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 137A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 200V | ||
Tipo di package PG-HSOF-8 | ||
Serie IPT | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 6.7mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 71nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 300W | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni J-STD-020, IEC61249-2-21, 100% Avalanche Tested, RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
Il transistor di potenza OptiMOS 6 Infineon da 200 V è un MOSFET a canale N, di livello normale, progettato per applicazioni di potenza ad alta efficienza. Il dispositivo presenta un valore molto basso di resistenza totale tra fonte e uscita (RDS(on)), riducendo al minimo le perdite di conduzione. L'eccellente prodotto per carica di gate x RDS(on) (FOM) garantisce prestazioni di commutazione superiori, mentre la bassissima carica di recupero inversa (Qrr) contribuisce a un funzionamento efficiente. Con un elevato valore nominale di prevenzione delle scariche disruptive a valanga, offre una maggiore robustezza ed è in grado di funzionare a 175 °C, rendendolo affidabile anche in ambienti difficili.
Placcatura senza piombo
Conforme alla direttiva RoHS
Senza alogeni secondo la norma IEC61249-2-21
MSL 1 classificato secondo la norma J-STD-020