Transistor di potenza Infineon, canale Tipo N 200 V, 6.7 mΩ Miglioramento, 137 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie

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Codice RS:
349-130
Codice costruttore:
IPT067N20NM6ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Transistor di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

137A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Serie

IPT

Tipo di package

PG-HSOF-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1V

Dissipazione di potenza massima Pd

300W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

71nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

J-STD-020, IEC61249-2-21, 100% Avalanche Tested, RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il transistor di potenza OptiMOS 6 Infineon da 200 V è un MOSFET a canale N, di livello normale, progettato per applicazioni di potenza ad alta efficienza. Il dispositivo presenta un valore molto basso di resistenza totale tra fonte e uscita (RDS(on)), riducendo al minimo le perdite di conduzione. L'eccellente prodotto per carica di gate x RDS(on) (FOM) garantisce prestazioni di commutazione superiori, mentre la bassissima carica di recupero inversa (Qrr) contribuisce a un funzionamento efficiente. Con un elevato valore nominale di prevenzione delle scariche disruptive a valanga, offre una maggiore robustezza ed è in grado di funzionare a 175 °C, rendendolo affidabile anche in ambienti difficili.

Placcatura senza piombo

Conforme alla direttiva RoHS

Senza alogeni secondo la norma IEC61249-2-21

MSL 1 classificato secondo la norma J-STD-020

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