Transistor di potenza Infineon, canale N 200 V, 6.7 mΩ Miglioramento, 137 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie
- Codice RS:
- 349-130
- Codice costruttore:
- IPT067N20NM6ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 unità*
8,79 €
(IVA esclusa)
10,72 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 1960 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 9 | 8,79 € |
| 10 - 99 | 7,91 € |
| 100 - 499 | 7,29 € |
| 500 - 999 | 6,78 € |
| 1000 + | 6,06 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 349-130
- Codice costruttore:
- IPT067N20NM6ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | Transistor di potenza | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 137A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 200V | |
| Tipo di package | PG-HSOF-8 | |
| Serie | IPT | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 6.7mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 71nC | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 300W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | J-STD-020, IEC61249-2-21, 100% Avalanche Tested, RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto Transistor di potenza | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 137A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 200V | ||
Tipo di package PG-HSOF-8 | ||
Serie IPT | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 6.7mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 71nC | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 300W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni J-STD-020, IEC61249-2-21, 100% Avalanche Tested, RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
Transistor di potenza Infineon serie IPT, tensione massima della sorgente di drenaggio di 200 V, corrente di drenaggio continua massima di 137 A - IPT067N20NM6ATMA1
Questo transistor di potenza è un dispositivo di potenziamento a canale N ad alta corrente progettato per applicazioni di commutazione impegnative. Progettato per l'assemblaggio a montaggio superficiale in un contenitore PG-HSOF-8, gestisce una potenza notevole e funziona in un intervallo di temperatura esteso, adatto per ambienti difficili. Il dispositivo soddisfa le valutazioni di affidabilità del settore e le restrizioni ambientali per supportare progetti elettronici robusti.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale di 200 V consente la capacità di commutazione ad alta tensione
• Il basso valore di Rds(on) di 6.7 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La corrente di drenaggio continua 137 A supporta carichi pesanti
• La dissipazione di potenza di 300 W gestisce notevoli sollecitazioni termiche
• La carica gate tipica di 71 nC fornisce energia di commutazione prevedibile
• La tolleranza del gate di 20 V consente un'ampia scelta di gate drive
• Il basso valore di Rds(on) di 6.7 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La corrente di drenaggio continua 137 A supporta carichi pesanti
• La dissipazione di potenza di 300 W gestisce notevoli sollecitazioni termiche
• La carica gate tipica di 71 nC fornisce energia di commutazione prevedibile
• La tolleranza del gate di 20 V consente un'ampia scelta di gate drive
Applicazioni
• Adatto per gli stadi di convertitore CC-CC ad alta potenza
• Ideale per l'azionamento del motore e le gambe di alimentazione dell'inverter
• Utilizzato con la rettifica sincrona negli alimentatori
• Può essere utilizzato per topologie di commutazione rigida nei convertitori
• Adatto per sistemi di gestione delle batterie industriali
• Ideale per l'azionamento del motore e le gambe di alimentazione dell'inverter
• Utilizzato con la rettifica sincrona negli alimentatori
• Può essere utilizzato per topologie di commutazione rigida nei convertitori
• Adatto per sistemi di gestione delle batterie industriali
Quali temperature estreme può sopportare questo dispositivo durante il funzionamento?
Funziona in un'ampia gamma da -55 °C a 175 °C, consentendo l'uso in ambienti con elevato stress termico.
Come viene valutato il comportamento delle valanghe per l'affidabilità?
Ogni unità è sottoposta a test a valanga al 100% per verificare la robustezza contro l'assorbimento di energia induttiva transitoria.
Quali standard ambientali e di imballaggio soddisfa?
Il dispositivo è conforme alle norme J-STD-020 e IEC 61249-2-21 ed è conforme alle restrizioni RoHS per la composizione dei materiali.
Quale configurazione di montaggio e pin devono aspettarsi i progettisti?
Viene fornito in un contenitore a montaggio superficiale PG-HSOF-8 a otto pin adatto per l'assemblaggio automatizzato di circuiti stampati.
Link consigliati
- Transistor di potenza Infineon 2 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- Transistor di potenza Infineon 37 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- Transistor di potenza Infineon 45 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 44 A PG-HSOF-8, Superficie IMT65R057M1HXUMA1
- MOSFET Infineon 65 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie IPT60T065S7XTMA1
- Transistor di potenza Infineon 6.7 mΩ Miglioramento 7 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 2.9 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 1.2 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie