Transistor di potenza Infineon, canale N 600 V, 37 mΩ Miglioramento, 70 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie
- Codice RS:
- 349-258
- Codice costruttore:
- IPT60R037CM8XTMA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 349-258
- Codice costruttore:
- IPT60R037CM8XTMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | Transistor di potenza | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 70A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo di package | PG-HSOF-8 | |
| Serie | IPT | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 37mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 390W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 900mV | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 79nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | JEDEC for Industrial Applications | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto Transistor di potenza | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 70A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo di package PG-HSOF-8 | ||
Serie IPT | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 37mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 390W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 900mV | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 79nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni JEDEC for Industrial Applications | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
Transistor di potenza Infineon serie IPT, tensione massima della sorgente di drenaggio di 600 V, corrente di drenaggio continua massima di 70 A - IPT60R037CM8XTMA1
Questo transistor di potenza è un MOSFET a canale N ad alta tensione progettato per la commutazione industriale e le attività di conversione di potenza. Funziona in un'ampia gamma di ambienti ed è progettato per assemblaggi a montaggio superficiale in cui è richiesta una robusta gestione della corrente e una tolleranza di tensione elevata. Il dispositivo è specificato per applicazioni industriali JEDEC ed è adatto per ambienti che richiedono un'elevata dissipazione e un controllo gate affidabile.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale di 600 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 70 A supporta la gestione di carichi pesanti
• Il basso valore di Rds(on) di 37 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La dissipazione di potenza massima di 390 W consente un ingombro termico elevato
• La carica di gate tipica di 79 nC bilancia l'azionamento e la velocità di commutazione
• La tolleranza del gate di ±20 V semplifica la progettazione del gate drive
• La corrente di drenaggio continua di 70 A supporta la gestione di carichi pesanti
• Il basso valore di Rds(on) di 37 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La dissipazione di potenza massima di 390 W consente un ingombro termico elevato
• La carica di gate tipica di 79 nC bilancia l'azionamento e la velocità di commutazione
• La tolleranza del gate di ±20 V semplifica la progettazione del gate drive
Applicazioni
• Adatto per gli stadi degli inverter con azionamento a motore industriale
• Ideale per alimentatori e convertitori ad alta tensione
• Utilizzato con topologie a ponte negli inverter a energia rinnovabile
• Può essere utilizzato per moduli di potenza industriali a commutazione difficile
• Adatto per fasi di conversione CC-CC ad alta corrente
• Ideale per alimentatori e convertitori ad alta tensione
• Utilizzato con topologie a ponte negli inverter a energia rinnovabile
• Può essere utilizzato per moduli di potenza industriali a commutazione difficile
• Adatto per fasi di conversione CC-CC ad alta corrente
A quale intervallo di temperatura può resistere durante il funzionamento?
È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, adattandosi ad ambienti termici difficili e applicazioni con contenitori rialzati.
Come è confezionato il dispositivo per l'assemblaggio?
È fornito in un contenitore a montaggio superficiale PG-HSOF-8 a 8 pin progettato per il montaggio a rifusione su circuito stampato e layout di schede compatte.
Quali sono le caratteristiche del gate e del canale che influenzano i circuiti di azionamento?
Il dispositivo di potenziamento a canale N ha una carica gate tipica di 79 nC e una tensione nominale massima da gate a sorgente di 20 V, informando la selezione del driver gate e i margini di protezione.
In che modo la tensione diretta influisce sulle prestazioni di commutazione?
una tensione diretta di 0,9 V contribuisce a un rapido comportamento di accensione della conduzione e contribuisce ai calcoli della perdita di conduzione complessiva durante la selezione del dispositivo.
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