Transistor di potenza Infineon, canale Tipo N 650 V, 45 mΩ Miglioramento, 52 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie
- Codice RS:
- 273-2797
- Codice costruttore:
- IPT60R045CFD7XTMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*
7892,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2000 + | 3,946 € | 7.892,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 273-2797
- Codice costruttore:
- IPT60R045CFD7XTMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | Transistor di potenza | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 52A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | PG-HSOF-8 | |
| Serie | IPT | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 45mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 79nC | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 272W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS, JEDEC for Industrial Applications | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto Transistor di potenza | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 52A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package PG-HSOF-8 | ||
Serie IPT | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 45mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 79nC | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 272W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS, JEDEC for Industrial Applications | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di Infineon consiste in un transistor di potenza CoolMOS CFD7 da 600 V. CoolMOS è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata secondo il principio di supergiunzione e sviluppata da Infineon Technologies. L'ultima versione di CoolMOS CFD7 è la versione successiva alla serie CoolMOS CFD2 ed è una piattaforma ottimizzata per le applicazioni di commutazione soft come i ponti completi a spostamento di fase e LLC. Grazie alla ridotta carica di gate, alla migliore carica di recupero inversa della categoria e al miglior comportamento di spegnimento, CoolMOS CFD7 offre la massima efficienza nelle topologie risonanti.
Conforme a RoHS
Bassa carica di gate
Body diode ultraveloce
Soluzioni a maggiore densità di potenza
Eccellente resistenza alla commutazione hard
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