Transistor di potenza Infineon, canale Tipo N 650 V, 45 mΩ Miglioramento, 52 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie

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Codice RS:
273-2797
Codice costruttore:
IPT60R045CFD7XTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Transistor di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

52A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

PG-HSOF-8

Serie

IPT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

45mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Dissipazione di potenza massima Pd

272W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

79nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS, JEDEC for Industrial Applications

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di Infineon consiste in un transistor di potenza CoolMOS CFD7 da 600 V. CoolMOS è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata secondo il principio di supergiunzione e sviluppata da Infineon Technologies. L'ultima versione di CoolMOS CFD7 è la versione successiva alla serie CoolMOS CFD2 ed è una piattaforma ottimizzata per le applicazioni di commutazione soft come i ponti completi a spostamento di fase e LLC. Grazie alla ridotta carica di gate, alla migliore carica di recupero inversa della categoria e al miglior comportamento di spegnimento, CoolMOS CFD7 offre la massima efficienza nelle topologie risonanti.

Conforme a RoHS

Bassa carica di gate

Body diode ultraveloce

Soluzioni a maggiore densità di potenza

Eccellente resistenza alla commutazione hard

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