MOSFET Infineon, canale Tipo N 135 V, 2 mΩ Miglioramento, 297 A, 16 Pin, PG-HSOF-16, Superficie IPTC020N13NM6ATMA1

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Codice RS:
349-133
Codice costruttore:
IPTC020N13NM6ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

297A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

135V

Serie

IPT

Tipo di package

PG-HSOF-16

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

16

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

159nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

395W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEC61249-2-21

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il transistor di potenza OptiMOS 6 Infineon da 120 V è un MOSFET a canale N, di livello normale, progettato per applicazioni di potenza ad alte prestazioni. Il dispositivo offre un valore molto basso di resistenza totale tra fonte e uscita (RDS(on)), riducendo le perdite di conduzione e migliorando l'efficienza. Il MOSFET presenta un eccellente prodotto carica di gate x RDS(on) (FOM) per prestazioni di commutazione superiori. Vanta inoltre una carica di recupero inversa (Qrr) molto bassa, che ottimizza l'efficienza durante gli eventi di commutazione. Con un elevato valore nominale di prevenzione delle scariche disruptive a valanga, garantisce l'affidabilità in condizioni difficili e funziona efficacemente a 175 °C, rendendolo ideale per gli ambienti ad alta temperatura.

Dispositivo ottimizzato per la commutazione ad alta frequenza e il raddrizzamento sincrono

Placcatura senza piombo

Conforme alla direttiva RoHS

Senza alogeni secondo la norma IEC61249-2-21

MSL 1 classificato secondo la norma J-STD-020

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