MOSFET Infineon, canale Tipo N 135 V, 2 mΩ Miglioramento, 297 A, 16 Pin, PG-HSOF-16, Superficie IPTC020N13NM6ATMA1
- Codice RS:
- 349-133
- Codice costruttore:
- IPTC020N13NM6ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 349-133
- Codice costruttore:
- IPTC020N13NM6ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 297A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 135V | |
| Tipo di package | PG-HSOF-16 | |
| Serie | IPT | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 16 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 2mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 395W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 159nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | IEC61249-2-21 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 297A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 135V | ||
Tipo di package PG-HSOF-16 | ||
Serie IPT | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 16 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 395W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 159nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni IEC61249-2-21 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
Il transistor di potenza OptiMOS 6 Infineon da 120 V è un MOSFET a canale N, di livello normale, progettato per applicazioni di potenza ad alte prestazioni. Il dispositivo offre un valore molto basso di resistenza totale tra fonte e uscita (RDS(on)), riducendo le perdite di conduzione e migliorando l'efficienza. Il MOSFET presenta un eccellente prodotto carica di gate x RDS(on) (FOM) per prestazioni di commutazione superiori. Vanta inoltre una carica di recupero inversa (Qrr) molto bassa, che ottimizza l'efficienza durante gli eventi di commutazione. Con un elevato valore nominale di prevenzione delle scariche disruptive a valanga, garantisce l'affidabilità in condizioni difficili e funziona efficacemente a 175 °C, rendendolo ideale per gli ambienti ad alta temperatura.
Dispositivo ottimizzato per la commutazione ad alta frequenza e il raddrizzamento sincrono
Placcatura senza piombo
Conforme alla direttiva RoHS
Senza alogeni secondo la norma IEC61249-2-21
MSL 1 classificato secondo la norma J-STD-020
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