Transistor di potenza Infineon, canale Tipo N 135 V, 2 mΩ Miglioramento, 297 A, 8 Pin, PG-HSOG-8, Superficie

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Codice RS:
349-136
Codice costruttore:
IPTG020N13NM6ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Transistor di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

297A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

135V

Tipo di package

PG-HSOG-8

Serie

IPT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

159nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

395W

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il transistor di potenza OptiMOS 6 Infineon da 135 V è un MOSFET a canale N, di livello normale, progettato per fornire prestazioni ad alta efficienza nelle applicazioni di potenza. Il dispositivo presenta un valore molto basso di resistenza totale tra fonte e uscita (RDS(on)), che riduce al minimo le perdite di conduzione per una maggiore efficienza energetica. Con un eccellente prodotto carica di gate x RDS(on) (FOM), garantisce prestazioni di commutazione ottimali. Il MOSFET offre inoltre una carica di recupero inversa (Qrr) molto bassa, migliorando l'efficienza di commutazione. Inoltre, è testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga per garantire l'affidabilità e può funzionare a 175 °C, rendendolo adatto alle alte temperature e agli ambienti più difficili.

Dispositivo ottimizzato per gli azionamenti dei motori e le applicazioni a batteria

Placcatura senza piombo

Conforme alla direttiva RoHS

Senza alogeni secondo la norma IEC61249-2-21

MSL 1 classificato secondo la norma J-STD-020

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