Transistor di potenza Infineon, canale Tipo N 135 V, 2.9 mΩ Miglioramento, 212 A, 8 Pin, PG-HSOG-8, Superficie

Il transistor di potenza OptiMOS 6 Infineon da 135 V è un MOSFET a canale N, di livello normale, progettato per fornire prestazioni ad alta efficienza nelle applicazioni di potenza. Il dispositivo presenta un valore molto basso di resistenza totale tra fonte e uscita (RDS(on)), che riduce al minimo le perdite di conduzione per una maggiore efficienza energetica. Con un eccellente prodotto carica di gate x RDS(on) (FOM), garantisce prestazioni di commutazione ottimali. Il MOSFET offre inoltre una carica di recupero inversa (Qrr) molto bassa, migliorando l'efficienza di commutazione. Inoltre, è testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga per garantire l'affidabilità e può funzionare a 175 °C, rendendolo adatto alle alte temperature e agli ambienti più difficili.

Dispositivo ottimizzato per gli azionamenti dei motori e le applicazioni a batteria