MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 2.9 mΩ Miglioramento, 165 A, 8 Pin, HSOG, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 1800 unità*

2039,40 €

(IVA esclusa)

2487,60 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 11 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
1800 +1,133 €2.039,40 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
214-8991
Codice costruttore:
IAUS165N08S5N029ATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

165A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

OptiMOS 5

Tipo di package

HSOG

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

La gamma Infineon di MOSFET OptiMOS-5 è dotata di una gamma di transistor MOSFET ad alta efficienza energetica. I prodotti OptiMOS sono disponibili in contenitori ad alte prestazioni per affrontare le applicazioni più impegnative, offrendo la massima flessibilità in spazi limitati. Questi prodotti Infineon sono ideati per soddisfare e superare i requisiti di rendimento energetico e di densità di potenza degli altissimi standard di regolazione della prossima generazione nelle applicazioni informatiche.

Testato al 100% con effetto valanga

Ha una temperatura d'esercizio di 175 °C.

Link consigliati