MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 1.1 mΩ Miglioramento, 408 A, 8 Pin, HSOG, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 1800 unità*

3868,20 €

(IVA esclusa)

4719,60 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Per ordini inferiori a 60,00 € (IVA esclusa) il costo della spedizione è 9,50 €.
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 27 aprile 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
1800 +2,149 €3.868,20 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
233-4384
Codice costruttore:
IPTG011N08NM5ATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

408A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

IPTG

Tipo di package

HSOG

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

178nC

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.1mm

Altezza

2.4mm

Larghezza

8.75 mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon OptiMOS IPTG011N08NM5 viene fornito in un contenitore migliorato con cavi ad ali di gabbiano. Con un ingombro compatibile per l'uso senza piombo, TOLG consente eccellenti prestazioni elettriche rispetto a D2PAK a 7 pin con una riduzione dello spazio su scheda di ∼60%. Questo nuovo contenitore in OptiMOS 5 - 80 V offre RDS(ON) molto bassa ed è ottimizzato per gestire correnti elevate 300 A. La flessibilità dei cavi ad ali di gabbiano, OptiMOS in contenitore TOLG mostra un'eccellente affidabilità del giunto a saldare sulla scheda al-IMS. Questo si traduce in cicli termici 2x superiori a bordo scheda

Elevata efficienza e EMI ridotte

Capacità ad alte prestazioni

Link consigliati