MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 1.1 mΩ Miglioramento, 408 A, 8 Pin, HSOG, Superficie IPTG011N08NM5ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
233-4385
Codice costruttore:
IPTG011N08NM5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

408A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

IPTG

Tipo di package

HSOG

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

178nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

8.75 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.1mm

Altezza

2.4mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon OptiMOS IPTG011N08NM5 viene fornito in un contenitore migliorato con cavi ad ali di gabbiano. Con un ingombro compatibile per l'uso senza piombo, TOLG consente eccellenti prestazioni elettriche rispetto a D2PAK a 7 pin con una riduzione dello spazio su scheda di ∼60%. Questo nuovo contenitore in OptiMOS 5 - 80 V offre RDS(ON) molto bassa ed è ottimizzato per gestire correnti elevate 300 A. La flessibilità dei cavi ad ali di gabbiano, OptiMOS in contenitore TOLG mostra un'eccellente affidabilità del giunto a saldare sulla scheda al-IMS. Questo si traduce in cicli termici 2x superiori a bordo scheda

Elevata efficienza e EMI ridotte

Capacità ad alte prestazioni

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