MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 1.2 mΩ Miglioramento, 300 A, 8 Pin, HSOG, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 1800 unità*

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Codice RS:
229-1802
Codice costruttore:
IAUS300N08S5N012ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

300A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

HSOG

Serie

IAUS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET Infineon a canale N ha una temperatura d'esercizio di 175 °C e testato con effetto valanga al 100%.

È conforme alla direttiva RoHS e certificato AEC Q101

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