MOSFET Infineon, canale N, 0,0012 Ω, 300 A, HSOF-8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 229-1809
Codice costruttore:: IAUT300N08S5N012ATMA2
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 0,0012 Ω, 300 A, HSOF-8, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 2000)**

1,708 €

(IVA esclusa)

2,084 €

(IVA inclusa)

1798 Disponibile per la consegna entro 3 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)*

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Unità	Per unità	Per bobina**
2000 +	1,708 €	3.416,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 229-1809
Codice costruttore:: IAUT300N08S5N012ATMA2
Costruttore:: Infineon

Datasheet - IAUT300N08S5N012ATMA2

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	300 A
Tensione massima drain source	80 V
Serie	OptiMOS™ 5
Tipo di package	HSOF-8
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	0,0012 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.8V
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Silicone

MOSFET Infineon, canale N, 0,0012 Ω, 300 A, HSOF-8, Montaggio superficiale

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