MOSFET Infineon, canale N 80 V, 1.2 mΩ Miglioramento, 300 A, 8 Pin, HSOF, Superficie

Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N ad alta corrente progettato per i ruoli di commutazione di potenza automobilistica e industriale più impegnativi. Funziona in un'ampia gamma ambientale ed è fornito in un contenitore HSOF a montaggio superficiale adatto per layout di schede a corrente elevata. Il dispositivo è specificato per resistere alle tipiche escursioni di gate automobilistiche e fornisce la capacità di tensione e corrente necessaria per applicazioni di conversione di potenza e azionamento motore robuste.

• La bassa resistenza di accensione di 1,2 mΩ riduce le perdite di conduzione e il calore
• Il valore nominale di drenaggio di 80 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 300 A supporta carichi ad alta corrente
• La dissipazione massima di 375 W consente una gestione della potenza sostenuta
• La tolleranza gate di ±20 V accoglie i segnali gate-drive per uso automobilistico
• La qualifica AEC-Q101 soddisfa i requisiti di stress-screening per il settore automobilistico

• Adatto per gli inverter di trazione nei veicoli elettrificati
• Ideale per uscite convertitore c. c. - c. c. ad alta corrente
• Utilizzato con inverter per azionamento motore e regolatori di trazione
• Può essere utilizzato per la distribuzione di energia nei sistemi automobilistici
• Adatto per moduli di potenza industriali che richiedono un assemblaggio a montaggio superficiale

È progettato per funzionare da -55 °C fino a +175 °C.

Il dispositivo è fornito in un contenitore HSOF e progettato per il montaggio superficiale.

Accetta tensioni gate-source fino a ±20 V, consentendo i margini di azionamento tipici del settore automobilistico.

Si tratta di un dispositivo a canale N con modalità di potenziamento progettato per applicazioni di commutazione.