MOSFET Infineon, canale N, 3,7 mΩ, 300 A, HSOF-8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 178-7450
Codice costruttore:: IPT020N10N3ATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 3,7 mΩ, 300 A, HSOF-8, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 2000)**

2,887 €

(IVA esclusa)

3,522 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
2000 +	2,887 €	5.774,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 178-7450
Codice costruttore:: IPT020N10N3ATMA1
Costruttore:: Infineon

IPT020N10N3 OptiMOS 3 Power-Transistor, 100 V

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	300 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	HSOF-8
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	3,7 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Dissipazione di potenza massima	375 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	10.58mm
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	10.1mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+175 °C
Carica gate tipica @ Vgs	156 nC a 10 V
Altezza	2.4mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1V

MOSFET Infineon, canale N, 3,7 mΩ, 300 A, HSOF-8, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™3, 100 V e superiori

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