MOSFET Infineon, canale N, 1 mΩ, 300 A, HSOF-8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 178-7451
Codice costruttore:: IPT007N06NATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 1 mΩ, 300 A, HSOF-8, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 2000)**

3,741 €

(IVA esclusa)

4,564 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
2000 +	3,741 €	7.482,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 178-7451
Codice costruttore:: IPT007N06NATMA1
Costruttore:: Infineon

IPT007N06N OptiMOS Power-Transistor, 60 V

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	300 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	HSOF-8
Serie	OptiMOS™ 5
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	1 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Dissipazione di potenza massima	375 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	10.1mm
Carica gate tipica @ Vgs	216 nC a 10 V
Lunghezza	10.58mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	2.4mm
Tensione diretta del diodo	1V

MOSFET Infineon, canale N, 1 mΩ, 300 A, HSOF-8, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™5

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