MOSFET Infineon, canale N 60 V, 1 mΩ Miglioramento, 300 A, 8 Pin, HSOF, Superficie

Codice RS:: 178-7451
Codice costruttore:: IPT007N06NATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 60 V, 1 mΩ Miglioramento, 300 A, 8 Pin, HSOF, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*

4932,00 €

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Codice RS:: 178-7451
Codice costruttore:: IPT007N06NATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	300A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	60V
	Serie	OptiMOS 5
	Tipo di package	HSOF
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	1mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-20V, +20V
	Tensione diretta Vf	1V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	216nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	375W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Lunghezza	10.58mm
	Larghezza	10.1mm
	Standard/Approvazioni	No
	Altezza	2.4mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 300A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V
	Serie OptiMOS 5
	Tipo di package HSOF
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V
	Tensione diretta Vf 1V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 216nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 375W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Lunghezza 10.58mm
	Larghezza 10.1mm
	Standard/Approvazioni No
	Altezza 2.4mm
	Standard automobilistico No

IPT007N06N OptiMOS Power-Transistor, 60 V

Esente

MOSFET Infineon OptiMOS serie 5, tensione massima della sorgente di drenaggio di 60 V, corrente di drenaggio continua massima di 300 A - IPT007N06NATMA1

Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N ad alta corrente progettato per la commutazione di potenza in sistemi elettronici impegnativi. Funziona in un ampio intervallo di temperature adatto ad ambienti difficili ed è fornito in un contenitore HSOF a montaggio superficiale per supportare layout di schede compatti e una gestione termica efficiente.

Caratteristiche e vantaggi:

• Valore nominale di drenaggio di 60 V che consente progetti di potenza a media tensione
• Gestione della corrente continua da 300 A per la commutazione di carichi pesanti
• Rds(on) di 1 mΩ per ridurre le perdite di conduzione in percorsi ad alta corrente
• Dissipazione di potenza di 375 W che consente un funzionamento ad alta potenza prolungata
• Carica gate tipica 216 nC per requisiti di gate-drive prevedibili
• Tolleranza gate di ±20 V che supporta transienti gate drive robusti

Applicazioni

• Adatto per le fasi di conversione dell'alimentazione di server e data center
• Ideale per gli stadi di uscita dell'inverter motore-azionamento
• Utilizzato per la rettifica sincrona ad alta corrente nei PSU
• Può essere utilizzato per convertitori CC-CC nelle apparecchiature di telecomunicazione
• Adatto per la gestione dell'alimentazione e gli azionamenti industriali

Quali sono i limiti termici da considerare per il funzionamento continuo?

Il dispositivo ha una potenza nominale di dissipazione fino a 375 W

i progettisti devono garantire un'adeguata rame per circuito stampato, vie termiche o dissipatore di calore per mantenere la temperatura di giunzione entro limiti accettabili data la perdita di potenza del sistema.

In che modo la carica gate influisce sulla selezione dei circuiti di azionamento?

Con una carica gate tipica di 216 nC, i driver gate devono fornire una corrente di picco e una velocità di commutazione sufficienti per ottenere i tempi di transizione desiderati, gestendo al contempo le perdite di commutazione e le EMI.

Quali sono i dettagli del montaggio meccanico e del numero di pin del dispositivo?

È fornito in un contenitore HSOF a montaggio superficiale con otto pin, che consente collegamenti a livello di scheda a bassa induttanza per percorsi ad alta corrente.

Quale intervallo di temperatura d'esercizio si può prevedere nella progettazione del sistema?

Il componente è specificato per funzionare da -55 °C fino a 175 °C, consentendo l'uso in ambienti termicamente difficili quando si applicano pratiche di progettazione termica appropriate.