MOSFET Infineon, canale N 100 V, 2 mΩ Miglioramento, 300 A, 9 Pin, HSOF, Superficie

Codice RS:: 170-2320
Codice costruttore:: IPT015N10N5ATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 100 V, 2 mΩ Miglioramento, 300 A, 9 Pin, HSOF, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*

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Codice RS:: 170-2320
Codice costruttore:: IPT015N10N5ATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	300A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Serie	IPT015N10N5
	Tipo di package	HSOF
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	9
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	2mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	375W
	Tensione diretta Vf	900mV
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	169nC
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Larghezza	10.58mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	10.1mm
	Altezza	2.4mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 300A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Serie IPT015N10N5
	Tipo di package HSOF
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 9
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 375W
	Tensione diretta Vf 900mV
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 169nC
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Larghezza 10.58mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 10.1mm
	Altezza 2.4mm
	Standard automobilistico No

Datasheet

MOSFET Infineon serie IPT015N10N5, tensione massima della sorgente di drenaggio di 100 V, corrente di drenaggio continua massima di 300 A - IPT015N10N5ATMA1

Questo MOSFET è un dispositivo di commutazione a canale N ad alta corrente progettato per la conversione di potenza e il controllo dei motori in sistemi elettronici impegnativi. Funziona su un'ampia gamma di temperature ed è progettato per assemblaggi a montaggio superficiale in cui sono richieste una conduzione robusta e una commutazione rapida. Il componente è adatto ai progettisti che cercano un transistor compatto ad alta potenza per le applicazioni che richiedono correnti di drenaggio significative e gestione di tensioni elevate.

Caratteristiche e vantaggi:

• La tensione di drenaggio di 100 V consente applicazioni di commutazione a tensione più elevata
• La corrente di drenaggio continua di 300 A supporta carichi a corrente elevata
• Rds(on) di 2 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione sotto carico
• La carica gate tipica di 169 nC riduce i compromessi energetici di commutazione
• La dissipazione di potenza massima di 375 W consente un funzionamento ad alta potenza
• La tolleranza del gate di 20 V consente tensioni di azionamento del gate flessibili

Applicazioni

• Adatto per le fasi di azionamento del motore ad alta corrente
• Ideale per il raddrizzamento sincrono negli alimentatori
• Utilizzato con moduli inverter per azionamenti industriali
• Può essere utilizzato per i convertitori CC-CC nei sistemi di alimentazione
• Adatto per l'elettronica di potenza di trazione o di propulsione

Quale gamma termica posso aspettarmi per ambienti difficili?

È specificato per funzionare da -55 °C fino a 175 °C, adattandosi a condizioni di giunzione elevate.

Quale metodo di montaggio è necessario per l'integrazione del circuito stampato?

Il dispositivo è progettato per il montaggio superficiale in un pacchetto HSOF per l'assemblaggio automatizzato.

Quanti pin sono disponibili per il collegamento e la pianificazione del layout?

Il pacchetto fornisce nove pin, consentendo robusti percorsi di corrente e disposizioni gate/drain/source.

Quale modalità e tipo di canale utilizza per la topologia di commutazione?

Il dispositivo è un MOSFET a canale N che funziona in modalità di potenziamento, adatto per configurazioni low-side o high-side con azionamento gate appropriato.