MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 500 μΩ Miglioramento, 300 A, 9 Pin, HSOF, Superficie

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Codice RS:
168-5941
Codice costruttore:
IPT004N03LATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

300A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

HSOF

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

9

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

500μΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

252nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

300W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.1mm

Larghezza

10.58 mm

Altezza

2.4mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY

Famiglia di MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™


I prodotti OptiMOS™ sono disponibili in pacchetti ad alte prestazioni per lavorare con la maggior parte delle applicazioni difficili poiché forniscono flessibilità in spazi ristretti. Questi prodotti Infineon sono ideati per soddisfare e superare i requisiti di rendimento energetico e di densità di potenza degli altissimi standard di regolazione della prossima generazione nelle applicazioni informatiche.

Canale N - modalità potenziata

Qualifica per uso automobilistico AEC Q101

MSL1 con riflusso di picco fino a 260 °C

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Contenitore verde (senza piombo)

Rds(on) ultra bassa

Transistor MOSFET, Infineon


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