MOSFET Infineon, canale N 100 V, 2 mΩ Miglioramento, 300 A, 9 Pin, HSOF, Superficie IPT015N10N5ATMA1

Codice RS:: 171-1991
Codice costruttore:: IPT015N10N5ATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 100 V, 2 mΩ Miglioramento, 300 A, 9 Pin, HSOF, Superficie IPT015N10N5ATMA1

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Codice RS:: 171-1991
Codice costruttore:: IPT015N10N5ATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

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Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	300A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Serie	IPT015N10N5
	Tipo di package	HSOF
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	9
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	2mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	900mV
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	169nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	375W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Larghezza	10.58mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	10.1mm
	Altezza	2.4mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 300A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Serie IPT015N10N5
	Tipo di package HSOF
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 9
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 900mV
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 169nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 375W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Larghezza 10.58mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 10.1mm
	Altezza 2.4mm
	Standard automobilistico No

MOSFET Infineon serie IPT015N10N5, tensione massima della sorgente di drenaggio di 100 V, corrente di drenaggio continua massima di 300 A - IPT015N10N5ATMA1

Questo MOSFET è un dispositivo di commutazione a canale N ad alta corrente progettato per la conversione di potenza e il controllo dei motori in sistemi elettronici impegnativi. Funziona su un'ampia gamma di temperature ed è progettato per assemblaggi a montaggio superficiale in cui sono richieste una conduzione robusta e una commutazione rapida. Il componente è adatto ai progettisti che cercano un transistor compatto ad alta potenza per le applicazioni che richiedono correnti di drenaggio significative e gestione di tensioni elevate.

Caratteristiche e vantaggi:

• La tensione di drenaggio di 100 V consente applicazioni di commutazione a tensione più elevata
• La corrente di drenaggio continua di 300 A supporta carichi a corrente elevata
• Rds(on) di 2 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione sotto carico
• La carica gate tipica di 169 nC riduce i compromessi energetici di commutazione
• La dissipazione di potenza massima di 375 W consente un funzionamento ad alta potenza
• La tolleranza del gate di 20 V consente tensioni di azionamento del gate flessibili

Applicazioni

• Adatto per le fasi di azionamento del motore ad alta corrente
• Ideale per il raddrizzamento sincrono negli alimentatori
• Utilizzato con moduli inverter per azionamenti industriali
• Può essere utilizzato per i convertitori CC-CC nei sistemi di alimentazione
• Adatto per l'elettronica di potenza di trazione o di propulsione

Quale gamma termica posso aspettarmi per ambienti difficili?

È specificato per funzionare da -55 °C fino a 175 °C, adattandosi a condizioni di giunzione elevate.

Quale metodo di montaggio è necessario per l'integrazione del circuito stampato?

Il dispositivo è progettato per il montaggio superficiale in un pacchetto HSOF per l'assemblaggio automatizzato.

Quanti pin sono disponibili per il collegamento e la pianificazione del layout?

Il pacchetto fornisce nove pin, consentendo robusti percorsi di corrente e disposizioni gate/drain/source.

Quale modalità e tipo di canale utilizza per la topologia di commutazione?

Il dispositivo è un MOSFET a canale N che funziona in modalità di potenziamento, adatto per configurazioni low-side o high-side con azionamento gate appropriato.