MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 2 mΩ Miglioramento, 300 A, 9 Pin, HSOF, Superficie IPT015N10N5ATMA1
- Codice RS:
- 171-1991
- Codice costruttore:
- IPT015N10N5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 171-1991
- Codice costruttore:
- IPT015N10N5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 300A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | HSOF | |
| Serie | IPT015N10N5 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 9 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 2mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 375W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 169nC | |
| Tensione diretta Vf | 0.9V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 10.1mm | |
| Altezza | 2.4mm | |
| Larghezza | 10.58 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 300A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package HSOF | ||
Serie IPT015N10N5 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 9 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 375W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 169nC | ||
Tensione diretta Vf 0.9V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 10.1mm | ||
Altezza 2.4mm | ||
Larghezza 10.58 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon
Il MOSFET Infineon HSOF-8 a canale N per montaggio superficiale è un prodotto di nuova generazione con una resistenza drain-source di 1,5 MOhm a una tensione gate-source di 10V. Il MOSFET ha una corrente di drain continua di 300A. Ha una tensione gate-source massima di 20V e una tensione drain-source di 100V. Ha una dissipazione di potenza massima di 375W. Il MOSFET ha una tensione di pilotaggio minima e massima di 6V e 10V rispettivamente. È stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.
Caratteristiche e vantaggi
testato con effetto valanga • 100%
Eccellente carica di gate x prodotto RDS (ON) (FOM) •
• Senza alogeni
• massima efficienza del sistema
• ideale per un'elevata frequenza di commutazione
• maggiore densità di potenza
Placcatura senza piombo (Pb) •
• Overshoot a bassa tensione
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 175 °C.
• ottimizzato per la rettifica sincrona
Riduzione della capacità di uscita fino al 44% fino a •
• riduzione RDS (ON) fino al 44%
Resistenza all'accensione molto bassa RDS (ON) •
Applications
• adattatore
• veicoli elettrici leggeri
• azionamenti a bassa tensione
• alimentatori per server
• Settore fotovoltaico
• Telecomunicazioni
Certificazioni
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC61249-2-21
• JEDEC
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