MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 1.5 mΩ Miglioramento, 300 A, 8 Pin, HSOF, Superficie IAUT300N10S5N015ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-4347
Codice costruttore:
IAUT300N10S5N015ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

300A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

HSOF

Serie

OptiMOS 5

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

166nC

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Tensione diretta Vf

1.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Questo MOSFET Infineon OptiMOS offre l'innovativo R DS(on) di un MOSFET Trench insieme all'ampia area di funzionamento sicura di un MOSFET planare classico.

È ideale per le applicazioni hot-swap e con fusibile elettronico

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