MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 1.5 mΩ Miglioramento, 300 A, 8 Pin, HSOF, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*

4680,00 €

(IVA esclusa)

5700,00 €

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*prezzo indicativo

Codice RS:
214-4346
Codice costruttore:
IAUT300N10S5N015ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

300A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

OptiMOS 5

Tipo di package

HSOF

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Tensione diretta Vf

1.3V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

166nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Questo MOSFET Infineon OptiMOS offre l'innovativo R DS(on) di un MOSFET Trench insieme all'ampia area di funzionamento sicura di un MOSFET planare classico.

È ideale per le applicazioni hot-swap e con fusibile elettronico

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