MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 1.5 mΩ Miglioramento, 300 A, 8 Pin, HSOF, Superficie
- Codice RS:
- 214-4346
- Codice costruttore:
- IAUT300N10S5N015ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*
4968,00 €
(IVA esclusa)
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2000 + | 2,484 € | 4.968,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 214-4346
- Codice costruttore:
- IAUT300N10S5N015ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 300A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Tipo di package | HSOF | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 166nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 375W | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 300A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Tipo di package HSOF | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 166nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 375W | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Questo MOSFET Infineon OptiMOS offre l'innovativo R DS(on) di un MOSFET Trench insieme all'ampia area di funzionamento sicura di un MOSFET planare classico.
È ideale per le applicazioni hot-swap e con fusibile elettronico
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