MOSFET Infineon, canale N 100 V, 1.5 mΩ Miglioramento, 300 A, 8 Pin, HSOF, Superficie

Codice RS:: 214-4346
Codice costruttore:: IAUT300N10S5N015ATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 100 V, 1.5 mΩ Miglioramento, 300 A, 8 Pin, HSOF, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*

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Codice RS:: 214-4346
Codice costruttore:: IAUT300N10S5N015ATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	300A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Tipo di package	HSOF
	Serie	OptiMOS 5
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	1.5mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	166nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	375W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Tensione diretta Vf	1.3V
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 300A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Tipo di package HSOF
	Serie OptiMOS 5
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.5mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 166nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 375W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Tensione diretta Vf 1.3V
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

Datasheet - IAUT300N10S5N015ATMA1

MOSFET Infineon OptiMOS serie 5, tensione massima della sorgente di drenaggio di 100 V, corrente di drenaggio continua massima di 300 A - IAUT300N10S5N015ATMA1

Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N ad alta potenza progettato per ruoli di commutazione e conversione di potenza impegnativi. Funziona in un ampio intervallo di temperatura adatto per condizioni difficili ed è confezionato per il montaggio superficiale in un ingombro HSOF standard industriale, offrendo una bassa caduta in avanti per una conduzione efficiente nei circuiti ad alta corrente.

Caratteristiche e vantaggi:

• La capacità di drenaggio di 100 V consente la commutazione a tensione più elevata
• La bassa Rds(on) di 1,5 mΩ riduce le perdite di conduzione durante le correnti elevate
• La corrente continua di 300 A supporta applicazioni con carichi pesanti
• La dissipazione di potenza 375 W consente un carico termico sostenuto
• La carica di gate 166nC bilancia la velocità di commutazione e i requisiti di azionamento
• La tensione diretta di 1,3 V limita la caduta di tensione sotto carico

Applicazioni

• Adatto per convertitori e inverter di potenza ad alta corrente
• Ideale per le fasi di trazione e azionamento del motore nell'elettronica di potenza
• Utilizzato per convertitori CC-CC ad alte prestazioni in sistemi industriali
• Può essere utilizzato per moduli di distribuzione dell'alimentazione a stato solido
• Adatto per fasi di commutazione rapida negli alimentatori per server

Quale resistenza dell'azionamento del gate è richiesta per una commutazione efficiente?

Aspettatevi driver gate in grado di generare e assorbire una corrente sufficiente per caricare 166 nC entro l'intervallo di commutazione target

l'azionamento più lento aumenta le perdite di commutazione.

In che modo il dispositivo gestisce temperature di giunzione elevate?

È classificato per funzionare da -55 °C fino a 175 °C, consentendo l'uso in ambienti ad alta temperatura quando viene applicata una gestione termica appropriata.

Quali sono le considerazioni di montaggio importanti per le prestazioni termiche?

L'HSOF a montaggio superficiale richiede una terra termica per circuito stampato ben progettata e una strategia di dissipazione del calore per dissipare fino a 375 W di potenza in condizioni di impiego pesante.

In che modo la configurazione dei canali influisce sulla progettazione dei circuiti?

Come dispositivo di potenziamento a canale N, è adatto per disposizioni di commutazione low-side o di raddrizzamento sincrono in cui il riferimento gate è vicino al potenziale sorgente.