MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 1 mΩ Miglioramento, 300 A, 8 Pin, HSOF, Superficie IPT007N06NATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
906-4407
Codice costruttore:
IPT007N06NATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

300A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

HSOF

Serie

OptiMOS 5

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1V

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

216nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.58mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.4mm

Larghezza

10.1 mm

Standard automobilistico

No

Esente

MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™5


Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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