MOSFET Infineon, canale N 80 V, 2.9 mΩ Miglioramento, 165 A, 8 Pin, HSOF, Superficie IAUT165N08S5N029ATMA2

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
229-1808
Codice costruttore:
IAUT165N08S5N029ATMA2
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

165A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

HSOF

Serie

IAUT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

80 V, canale N, 2,9 mΩ max, MOSFET per uso automobilistico, TOLL, OptiMOSTM-5


Riepilogo delle caratteristiche


•N-canale - Modalità di potenziamento

•Qualificato AEC

•MSL1 fino a 260 °C di riflusso di picco

•Temperatura d'esercizio 175 °C

•Prodotto ecologico (conforme alla direttiva RoHS)

•Rds(on) ultrabassi

•100% Avalanche testato

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