MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 2.9 mΩ, 247 A, HSOF, Superficie IPT019N08N5ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
258-3903
Codice costruttore:
IPT019N08N5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

247A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

HSOF

Serie

IPT

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.9mΩ

Tensione diretta Vf

1.2V

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza a canale n da 80 V OptiMOS 5 Infineon in contenitore TO-Leadless è ideale per frequenze di commutazione elevate. Questo contenitore è progettato appositamente per applicazioni ad alta corrente come carrelli elevatori, veicoli elettrici leggeri, POL e telecomunicazioni. Con una riduzione dello spazio del 60% rispetto al contenitore D2PAK a 7 pin, TO-Cordless è la soluzione perfetta dove sono richiesti la massima efficienza, un eccellente comportamento EMI, nonché il miglior comportamento termico e la riduzione dello spazio.

Ottimizzato per la rettifica sincrona

Ideale per l'alta frequenza di commutazione

Meno parallelo richiesto

Maggiore densità di potenza

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