MOSFET Infineon, canale N 80 V, 1.05 mΩ, 43 A, 8 Pin, HSOF, Superficie

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Codice RS:
225-0581
Codice costruttore:
IPT010N08NM5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

43A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

IPT010N08NM5

Tipo di package

HSOF

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.05mΩ

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

178nC

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

10.58mm

Altezza

2.4mm

Lunghezza

10.1mm

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie IPT010N08NM5, tensione sorgente di drenaggio 80 V, corrente di drenaggio continua 43 A - IPT010N08NM5ATMA1


Questo MOSFET è un dispositivo di commutazione a semiconduttore progettato per applicazioni ad alta corrente e alta tensione in assemblaggi a montaggio superficiale. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è progettato per la conversione di potenza, la commutazione e i circuiti di azionamento che richiedono prestazioni di drain-source robuste e una gestione della potenza sostanziale.

Caratteristiche e vantaggi:


• La bassa resistenza all'accensione garantisce perdite di conduzione ridotte a correnti elevate
• L'elevata tensione drain-source consente il funzionamento con guide di sistema a 80 V
• L'elevata corrente di drenaggio continua consente una gestione sostenuta del carico di 43 A
• L'elevata dissipazione di potenza supporta un carico termico fino a 375 W
• La carica gate tipica di 178 nC consente una commutazione energetica prevedibile

Applicazioni


• Adatto per le fasi di commutazione dei convertitori CC-CC
• Ideale per configurazioni a mezzo ponte con azionamento a motore
• Utilizzato con alimentatori che richiedono una gestione ad alta corrente
• Può essere utilizzato per la rettifica sincrona nei convertitori

Quali limiti di tensione di gate devono essere rispettati durante la progettazione del circuito?


Il gate non deve essere azionato oltre un massimo di 20 V per evitare l'eccessiva sollecitazione della sorgente gate.

A quale intervallo termico può resistere durante il funzionamento?


È specificato per funzionare da -55 °C fino a 175 °C, consentendo l'uso in condizioni di temperatura estreme.

Quanti pin sono disponibili per l'instradamento e i collegamenti del circuito stampato?


Sono presenti otto pin per il layout e il collegamento elettrico nell'ingombro a montaggio superficiale.

Quale tipo di contenitore deve essere preso in considerazione nella progettazione dell'ingombro del circuito stampato?


Il componente utilizza un pacchetto HSOF progettato per il montaggio superficiale e il fissaggio su scheda.

Qual è la resistenza di conduzione tipica da considerare per i calcoli di efficienza?


Aspettatevi una resistenza massima drain-source di circa 1,05 mΩ per le stime di perdita.

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