MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 1.05 mΩ, 43 A, 8 Pin, HSOF, Superficie

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Codice RS:
225-0581
Codice costruttore:
IPT010N08NM5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

43A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

HSOF

Serie

IPT010N08NM5

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.05mΩ

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

178nC

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.1mm

Larghezza

10.58 mm

Altezza

2.4mm

Standard automobilistico

No

Infineon IPT010N08NM5 è un MOSFET di potenza singolo OptiMOS 5 a canale N 80V 1.05mΩ 425a in un contenitore A PEDAGGIO. La tecnologia al silicio OptiMOS 5 è una nuova generazione di MOSFET di potenza ed è progettata appositamente per la rettifica sincrona per alimentatori per telecomunicazioni e server.

Densità di potenza aumentata

Bassa sovratensione

Sono richiesti meno collegamenti in parallelo

Massima efficienza del sistema

Perdite di conduzione e commutazione ridotte

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