MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 1.05 mΩ, 43 A, 8 Pin, HSOF, Superficie IPT010N08NM5ATMA1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 2 unità*

13,99 €

(IVA esclusa)

17,068 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 298 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
2 - 186,995 €13,99 €
20 - 486,02 €12,04 €
50 - 985,60 €11,20 €
100 - 1985,245 €10,49 €
200 +4,83 €9,66 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
225-0582
Codice costruttore:
IPT010N08NM5ATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

43A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

IPT010N08NM5

Tipo di package

HSOF

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.05mΩ

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

178nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

10.58 mm

Lunghezza

10.1mm

Altezza

2.4mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Infineon IPT010N08NM5 è un MOSFET di potenza singolo OptiMOS 5 a canale N 80V 1.05mΩ 425a in un contenitore A PEDAGGIO. La tecnologia al silicio OptiMOS 5 è una nuova generazione di MOSFET di potenza ed è progettata appositamente per la rettifica sincrona per alimentatori per telecomunicazioni e server.

Densità di potenza aumentata

Bassa sovratensione

Sono richiesti meno collegamenti in parallelo

Massima efficienza del sistema

Perdite di conduzione e commutazione ridotte

Link consigliati