MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 1.05 mΩ, 43 A, 8 Pin, HSOF, Superficie IPT010N08NM5ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
225-0582
Codice costruttore:
IPT010N08NM5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

43A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

IPT010N08NM5

Tipo di package

HSOF

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.05mΩ

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

178nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

2.4mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.1mm

Standard automobilistico

No

Infineon IPT010N08NM5 è un MOSFET di potenza singolo OptiMOS 5 a canale N 80V 1.05mΩ 425a in un contenitore A PEDAGGIO. La tecnologia al silicio OptiMOS 5 è una nuova generazione di MOSFET di potenza ed è progettata appositamente per la rettifica sincrona per alimentatori per telecomunicazioni e server.

Densità di potenza aumentata

Bassa sovratensione

Sono richiesti meno collegamenti in parallelo

Massima efficienza del sistema

Perdite di conduzione e commutazione ridotte

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