MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 2.9 mΩ Miglioramento, 169 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie IPT029N08N5ATMA1

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Codice RS:
273-2793
Codice costruttore:
IPT029N08N5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

169A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

PG-HSOF-8

Serie

IPT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

167W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS, JEDEC1, IEC61249-2-21

Standard automobilistico

No

Quello di Infineon è un MOSFET a canale N da 80 V, ideale per la commutazione ad alta frequenza e il raddrizzamento sincronizzato. È qualificato secondo JEDEC per applicazioni target. Questo MOSFET è pienamente qualificato secondo JEDEC per le applicazioni industriali e privo di alogeni in conformità a IEC61249 2 21.

Conforme a RoHS

Placcatura senza piombo

Eccellente carica di gate

Resistenza di accensione molto bassa

Testato al 100% a valanga

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