MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 2.9 mΩ Miglioramento, 169 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie IPT029N08N5ATMA1

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Codice RS:
273-2793
Codice costruttore:
IPT029N08N5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

169A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

PG-HSOF-8

Serie

IPT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

167W

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS, JEDEC1, IEC61249-2-21

Standard automobilistico

No

Quello di Infineon è un MOSFET a canale N da 80 V, ideale per la commutazione ad alta frequenza e il raddrizzamento sincronizzato. È qualificato secondo JEDEC per applicazioni target. Questo MOSFET è pienamente qualificato secondo JEDEC per le applicazioni industriali e privo di alogeni in conformità a IEC61249 2 21.

Conforme a RoHS

Placcatura senza piombo

Eccellente carica di gate

Resistenza di accensione molto bassa

Testato al 100% a valanga

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