Transistor di potenza Infineon, canale Tipo N 135 V, 3.7 mΩ Miglioramento, 172 A, 8 Pin, PG-TSON-8, Superficie

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Codice RS:
349-142
Codice costruttore:
ISC037N13NM6ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

Transistor di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

172A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

135V

Tipo di package

PG-TSON-8

Serie

ISC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

82nC

Tensione diretta Vf

1V

Dissipazione di potenza massima Pd

250W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS, JEDEC, IEC61249-2-21

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il transistor di potenza OptiMOS 6 Infineon è un MOSFET a canale N, di livello normale, progettato per applicazioni di potenza ad alte prestazioni. Il dispositivo presenta un valore molto basso di resistenza totale tra fonte e uscita (RDS(on)), che riduce al minimo le perdite di conduzione e migliora l'efficienza complessiva. Il transistor offre anche un eccellente prodotto carica di gate x RDS(on) (FOM), garantendo prestazioni di commutazione ottimali. Con una carica di recupero inversa (Qrr) molto bassa, riduce le perdite di commutazione, rendendolo adatto alle applicazioni di commutazione rapida. Inoltre, il dispositivo è testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga, garantendo affidabilità e robustezza in condizioni di stress.

Temperatura d'esercizio 175 °C

Dispositivo ottimizzato per gli azionamenti dei motori e le applicazioni a batteria

Placcatura senza Pb e conforme a RoHS

Senza alogeni secondo la norma IEC61249-2-21

MSL 1 classificato secondo la norma J-STD-020

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