Transistor di potenza Infineon, canale Tipo N 135 V, 3.7 mΩ Miglioramento, 172 A, 8 Pin, PG-TSON-8, Superficie
- Codice RS:
- 349-142
- Codice costruttore:
- ISC037N13NM6ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 349-142
- Codice costruttore:
- ISC037N13NM6ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | Transistor di potenza | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 172A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 135V | |
| Serie | ISC | |
| Tipo di package | PG-TSON-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3.7mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 82nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 250W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS, JEDEC, IEC61249-2-21 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto Transistor di potenza | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 172A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 135V | ||
Serie ISC | ||
Tipo di package PG-TSON-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3.7mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 82nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 250W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS, JEDEC, IEC61249-2-21 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
Il transistor di potenza OptiMOS 6 Infineon è un MOSFET a canale N, di livello normale, progettato per applicazioni di potenza ad alte prestazioni. Il dispositivo presenta un valore molto basso di resistenza totale tra fonte e uscita (RDS(on)), che riduce al minimo le perdite di conduzione e migliora l'efficienza complessiva. Il transistor offre anche un eccellente prodotto carica di gate x RDS(on) (FOM), garantendo prestazioni di commutazione ottimali. Con una carica di recupero inversa (Qrr) molto bassa, riduce le perdite di commutazione, rendendolo adatto alle applicazioni di commutazione rapida. Inoltre, il dispositivo è testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga, garantendo affidabilità e robustezza in condizioni di stress.
Temperatura d'esercizio 175 °C
Dispositivo ottimizzato per gli azionamenti dei motori e le applicazioni a batteria
Placcatura senza Pb e conforme a RoHS
Senza alogeni secondo la norma IEC61249-2-21
MSL 1 classificato secondo la norma J-STD-020
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