Transistor di potenza Infineon, canale Tipo N 120 V, 1.7 mΩ Miglioramento, 331 A, 8 Pin, PG-HSOG-8, Superficie

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Codice RS:
349-135
Codice costruttore:
IPTG017N12NM6ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

Transistor di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

331A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

120V

Tipo di package

PG-HSOG-8

Serie

IPT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

395W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

113nC

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS, MSL1 J-STD-020, IEC61249-2-21

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il transistor di potenza OptiMOS 6 Infineon da 120 V è un MOSFET a canale N, di livello normale, progettato per applicazioni di potenza ad alta efficienza. È caratterizzato da un valore molto basso di resistenza totale tra fonte e uscita (RDS(on)), che garantisce perdite di conduzione minime per migliorare le prestazioni. Con un eccellente prodotto carica di gate x RDS(on) (FOM), consente caratteristiche di commutazione superiori. Il MOSFET presenta inoltre una carica di recupero inversa (Qrr) molto bassa, che contribuisce a ridurre le perdite di commutazione. L'elevato valore nominale di prevenzione delle scariche disruptive a valanga garantisce la robustezza sotto sforzo e il funzionamento affidabile a 175 °C, rendendolo adatto ad ambienti esigenti e ad alta temperatura.

Dispositivo ottimizzato per la commutazione ad alta frequenza e il raddrizzamento sincrono

Placcatura senza piombo

Conforme alla direttiva RoHS

Senza alogeni secondo la norma IEC61249-2-21

MSL 1 classificato secondo la norma J-STD-020

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