MOSFET Infineon, canale Tipo N 120 V, 1.7 mΩ Miglioramento, 331 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie IPT017N12NM6ATMA1
- Codice RS:
- 284-689
- Codice costruttore:
- IPT017N12NM6ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 284-689
- Codice costruttore:
- IPT017N12NM6ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 331A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 120V | |
| Tipo di package | PG-HSOF-8 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.7mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 395W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 331A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 120V | ||
Tipo di package PG-HSOF-8 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.7mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 395W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET Infineon è dotato di un transistor di potenza OptiMOS 6 che stabilisce un nuovo parametro di riferimento per le prestazioni nel settore dei semiconduttori. Progettato per garantire un'elevata efficienza e un'eccezionale gestione termica, questo prodotto eccelle nelle applicazioni più impegnative. Con un design robusto che supporta 120 V, è stato progettato per la commutazione ad alta frequenza, offrendo affidabilità e velocità senza compromettere l'efficienza energetica. Il MOSFET a canale N integra una resistenza di accensione molto bassa e una carica di gate minima, il che lo rende una soluzione ideale per la conversione di potenza e il controllo in ambienti industriali. L'ingegneria avanzata garantisce la conformità con RoHS e altri standard ambientali, il che lo rende una scelta sostenibile e orientata alle prestazioni per l'elettronica moderna.
Ottimizzato per prestazioni ad alta frequenza
Eccellente efficienza termica per l'affidabilità
La bassa resistenza riduce le perdite di energia
Carica veloce del cancello per operazioni rapide
Qualificato per le prestazioni industriali
Rispettoso dell'ambiente per la sostenibilità
Gestisce in modo sicuro l'alta energia delle valanghe
Ampia gamma di temperature d'esercizio
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