MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 1.4 mΩ Miglioramento, 331 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie IPT014N08NM5ATMA1
- Codice RS:
- 273-2792
- Codice costruttore:
- IPT014N08NM5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 273-2792
- Codice costruttore:
- IPT014N08NM5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 331A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Serie | IPT | |
| Tipo di package | PG-HSOF-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.4mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 300W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 10V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 160nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 331A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Serie IPT | ||
Tipo di package PG-HSOF-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.4mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 300W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 10V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 160nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
Quello di Infineon è un MOSFET a canale N da 80 V, ottimizzato per le applicazioni alimentate a batteria. È qualificato secondo JEDEC per applicazioni target. Questo MOSFET è pienamente qualificato secondo JEDEC per le applicazioni industriali e privo di alogeni in conformità a IEC61249 2 21.
Conformità alla direttiva RoHS
Placcatura senza piombo
Eccellente carica gate
Resistenza all'accensione molto bassa
Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga
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