MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 1.4 mΩ Miglioramento, 331 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie IPT014N08NM5ATMA1

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Codice RS:
273-2791
Codice costruttore:
IPT014N08NM5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

331A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

IPT

Tipo di package

PG-HSOF-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

300W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

160nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Quello di Infineon è un MOSFET a canale N da 80 V, ottimizzato per le applicazioni alimentate a batteria. È qualificato secondo JEDEC per applicazioni target. Questo MOSFET è pienamente qualificato secondo JEDEC per le applicazioni industriali e privo di alogeni in conformità a IEC61249 2 21.

Conforme a RoHS

Placcatura senza piombo

Eccellente carica di gate

Resistenza di accensione molto bassa

Testato al 100% a valanga

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