MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 1.4 mΩ Miglioramento, 120 A, 8 Pin, PG-HSOF-5, Superficie IAUA200N04S5N010AUMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
254-7198
Codice costruttore:
IAUA200N04S5N010AUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

120A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

IAUA

Tipo di package

PG-HSOF-5

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

La serie Infineons IAUA di MOSFET per uso automobilistico è costituita da canali n con modalità di potenziamento a livello normale con una temperatura d'esercizio di 175 °C. Si tratta di un prodotto ecologico con test elettrici potenziati.

Design robusto La tensione nominale da drenaggio a sorgente è di 40 V, la dissipazione di potenza è di 167 W

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