MOSFET Infineon, canale Tipo N 120 V, 1.7 mΩ Miglioramento, 314 A, 8 Pin, PG-HSOF-8-1, Superficie IAUTN12S5N017ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
284-669
Codice costruttore:
IAUTN12S5N017ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

314A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

120V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

PG-HSOF-8-1

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

358W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza per uso automobilistico Infineon OptiMOS 5 è progettato per prestazioni robuste in applicazioni impegnative. Con la tecnologia OptiMOS 5, eccellono in termini di efficienza e affidabilità, il che lo rende una scelta ideale per le soluzioni di gestione dell'alimentazione automobilistica. La struttura della modalità di potenziamento del canale N fornisce funzionalità di alto livello aderendo allo stesso tempo a rigorosi standard industriali. Progettato per resistere a condizioni estreme, questo transistor di potenza garantisce l'operabilità fino a 175 °C e offre una qualificazione estesa oltre l'AEC Q101.

Ottimizzato per la compatibilità automobilistica

I test migliorati garantiscono prestazioni affidabili

Design robusto con gestione termica avanzata

Il valore nominale MSL1 supporta il riflusso di picco a 260 °C

Conforme a RoHS per iniziative eco-compatibili

Il test a valanga conferma la resilienza ai transienti

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