MOSFET Infineon, canale N 100 V, 1.7 mΩ Miglioramento, 321 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie IPT017N10NM5LF2ATMA1
- Codice RS:
- 351-906
- Codice costruttore:
- IPT017N10NM5LF2ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Al momento non disponibile
Siamo spiacenti, ma non sappiamo quando questo prodotto sarà di nuovo disponibile.
- Codice RS:
- 351-906
- Codice costruttore:
- IPT017N10NM5LF2ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 321A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | PG-HSOF-8 | |
| Serie | IPT0 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.7mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 375W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 165nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 10.1mm | |
| Standard/Approvazioni | Halogen-Free (IEC61249-2-21), RoHS, JEDEC | |
| Lunghezza | 10.58mm | |
| Altezza | 1.3mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 321A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package PG-HSOF-8 | ||
Serie IPT0 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.7mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 375W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 165nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 10.1mm | ||
Standard/Approvazioni Halogen-Free (IEC61249-2-21), RoHS, JEDEC | ||
Lunghezza 10.58mm | ||
Altezza 1.3mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie IPT0, tensione massima della sorgente di drenaggio di 100 V, corrente di drenaggio continua massima di 321 A - IPT017N10NM5LF2ATMA1
Questo MOSFET è un transistor a canale N ad alta potenza progettato per applicazioni di commutazione impegnative in cui sono richieste capacità di corrente elevata e resistenza termica. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è fornito in un pacchetto a 8 pin per montaggio superficiale adatto per moduli di potenza compatti. Il dispositivo è conforme agli standard senza alogeni e RoHS ed è destinato a sistemi che necessitano di robuste prestazioni di conduzione e commutazione senza certificazione automobilistica.
Caratteristiche e vantaggi:
• La tolleranza di drenaggio di 100 V consente la commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 321 A supporta il funzionamento con carichi pesanti
• Il basso valore di Rds(on) di 1.7 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La dissipazione di potenza di 375 W consente un elevato flusso termico
• La carica gate di 165 nC supporta transizioni di commutazione controllate
• La tensione diretta di 1,2 V riduce al minimo le perdite di conduzione del diodo
• La corrente di drenaggio continua di 321 A supporta il funzionamento con carichi pesanti
• Il basso valore di Rds(on) di 1.7 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La dissipazione di potenza di 375 W consente un elevato flusso termico
• La carica gate di 165 nC supporta transizioni di commutazione controllate
• La tensione diretta di 1,2 V riduce al minimo le perdite di conduzione del diodo
Applicazioni
• Adatto per convertitori e inverter CC-CC ad alta potenza
• Ideale per le fasi di commutazione dell'azionamento del motore industriale
• Utilizzato con moduli di potenza che richiedono MOSFET a montaggio superficiale
• Può essere utilizzato per la distribuzione dell'alimentazione di server e telecomunicazioni
• Adatto per la conversione dell'energia nei sistemi di energia rinnovabile
• Ideale per le fasi di commutazione dell'azionamento del motore industriale
• Utilizzato con moduli di potenza che richiedono MOSFET a montaggio superficiale
• Può essere utilizzato per la distribuzione dell'alimentazione di server e telecomunicazioni
• Adatto per la conversione dell'energia nei sistemi di energia rinnovabile
Quali sono le caratteristiche del contenitore che influenzano la gestione termica della scheda?
Il dispositivo viene fornito in un contenitore a montaggio superficiale PG-HSOF-8 che consente un layout a bassa induttanza e un trasferimento di calore migliorato quando viene saldato su un'ampia area di rame o su piani dissipatori dedicati.
In che modo la tensione nominale del gate influisce sulla progettazione dell'azionamento del gate?
Con una tensione nominale massima gate-source di 20 V, i driver gate devono essere selezionati per rimanere entro questo limite fornendo al contempo un azionamento sufficiente per ottenere una bassa resistenza in stato attivo durante la conduzione.
Quale intervallo di temperatura ambiente può resistere durante il funzionamento?
Il componente è specificato per funzionare fino a -55 °C e fino a 175 °C, consentendo l'uso in sistemi esposti a temperature ambientali estreme o di giunzione elevate.
Esistono limitazioni per l'uso nel settore automobilistico?
Il dispositivo non è classificato secondo gli standard automobilistici, pertanto non deve essere specificato nei casi in cui le omologazioni di livello automobilistico sono obbligatorie.
Link consigliati
- MOSFET Infineon 1.7 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie IPT017N12NM6ATMA1
- MOSFET Infineon 1.7 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie IAUTN12S5N017ATMA1
- MOSFET Infineon 1.7 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 44 A PG-HSOF-8, Superficie IMT65R057M1HXUMA1
- MOSFET Infineon 1.7 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie IPT60R055CFD7XTMA1
- MOSFET Infineon 65 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie IPT60T065S7XTMA1
- MOSFET Infineon 2.9 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 1.2 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
