MOSFET Infineon, canale N 100 V, 1.7 mΩ Miglioramento, 321 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie IPT017N10NM5LF2ATMA1

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Codice RS:
351-906
Codice costruttore:
IPT017N10NM5LF2ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

321A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

PG-HSOF-8

Serie

IPT0

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

165nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

10.1mm

Standard/Approvazioni

Halogen-Free (IEC61249-2-21), RoHS, JEDEC

Lunghezza

10.58mm

Altezza

1.3mm

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie IPT0, tensione massima della sorgente di drenaggio di 100 V, corrente di drenaggio continua massima di 321 A - IPT017N10NM5LF2ATMA1


Questo MOSFET è un transistor a canale N ad alta potenza progettato per applicazioni di commutazione impegnative in cui sono richieste capacità di corrente elevata e resistenza termica. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è fornito in un pacchetto a 8 pin per montaggio superficiale adatto per moduli di potenza compatti. Il dispositivo è conforme agli standard senza alogeni e RoHS ed è destinato a sistemi che necessitano di robuste prestazioni di conduzione e commutazione senza certificazione automobilistica.

Caratteristiche e vantaggi:


• La tolleranza di drenaggio di 100 V consente la commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 321 A supporta il funzionamento con carichi pesanti
• Il basso valore di Rds(on) di 1.7 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La dissipazione di potenza di 375 W consente un elevato flusso termico
• La carica gate di 165 nC supporta transizioni di commutazione controllate
• La tensione diretta di 1,2 V riduce al minimo le perdite di conduzione del diodo

Applicazioni


• Adatto per convertitori e inverter CC-CC ad alta potenza
• Ideale per le fasi di commutazione dell'azionamento del motore industriale
• Utilizzato con moduli di potenza che richiedono MOSFET a montaggio superficiale
• Può essere utilizzato per la distribuzione dell'alimentazione di server e telecomunicazioni
• Adatto per la conversione dell'energia nei sistemi di energia rinnovabile

Quali sono le caratteristiche del contenitore che influenzano la gestione termica della scheda?


Il dispositivo viene fornito in un contenitore a montaggio superficiale PG-HSOF-8 che consente un layout a bassa induttanza e un trasferimento di calore migliorato quando viene saldato su un'ampia area di rame o su piani dissipatori dedicati.

In che modo la tensione nominale del gate influisce sulla progettazione dell'azionamento del gate?


Con una tensione nominale massima gate-source di 20 V, i driver gate devono essere selezionati per rimanere entro questo limite fornendo al contempo un azionamento sufficiente per ottenere una bassa resistenza in stato attivo durante la conduzione.

Quale intervallo di temperatura ambiente può resistere durante il funzionamento?


Il componente è specificato per funzionare fino a -55 °C e fino a 175 °C, consentendo l'uso in sistemi esposti a temperature ambientali estreme o di giunzione elevate.

Esistono limitazioni per l'uso nel settore automobilistico?


Il dispositivo non è classificato secondo gli standard automobilistici, pertanto non deve essere specificato nei casi in cui le omologazioni di livello automobilistico sono obbligatorie.

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