MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 1.7 mΩ Miglioramento, 321 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie IPT017N10NM5LF2ATMA1

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Codice RS:
351-906
Codice costruttore:
IPT017N10NM5LF2ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

321A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

PG-HSOF-8

Serie

IPT0

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

165nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

10.1 mm

Altezza

1.30mm

Lunghezza

10.58mm

Standard/Approvazioni

Halogen-Free (IEC61249-2-21), RoHS, JEDEC

Standard automobilistico

No

Il FET lineare OptiMOS 5 Infineon 2 da 100 V in TO-Leadless (TOLL), il migliore della categoria, offre il valore RDS(on) più basso del settore e un'ampia SOA a 25 ˚C. La combinazione della tecnologia OptiMOS 5 Linear FET 2 e del pacchetto TOLL, è progettata per fornire la massima densità di potenza, per applicazioni di protezione dalla corrente di spunto come hot-swap, e-fuse e per la protezione delle batterie nei sistemi di gestione delle batterie (BMS).

Ampia area operativa sicura (SOA)

Basso valore di RDS(on)

IGSS inferiore rispetto ai FET lineari

Caratteristica di trasferimento ottimizzata

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