MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 1.7 mΩ Miglioramento, 400 A, 8 Pin, HSOF-8, Superficie IPT60R055CFD7XTMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
250-0595
Codice costruttore:
IPT60R055CFD7XTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

400A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

HSOF-8

Serie

IPT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Infineon CoolMOS è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata secondo il principio di super giunzione (SJ) e ideata dalle tecnologie Infineon. Il più recente CoolMOS CFD7 è il successore della serie CoolMOS CFD2 ed è una piattaforma ottimizzata su misura per le applicazioni di commutazione morbida, come il ponte intero a spostamento di fase (ZVS) e LLC, grazie alla riduzione della carica di gate (Qg), alla migliore carica di recupero inversa (Qrr) e al miglioramento del comportamento di spegnimento CoolMOS CFD7 offre la massima efficienza nelle topologie risonanti.

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