MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 1.2 mΩ, 400 A, 8 Pin, HSOF-8, Superficie IPT60R040S7XTMA1
- Codice RS:
- 244-0909
- Codice costruttore:
- IPT60R040S7XTMA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 244-0909
- Codice costruttore:
- IPT60R040S7XTMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 400A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | HSOF-8 | |
| Serie | IPT | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.2mΩ | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 81W | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 400A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package HSOF-8 | ||
Serie IPT | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.2mΩ | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 81W | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
L'IPT60R040S7 Infineon consente il miglior rapporto prezzo/performance per le applicazioni di commutazione a bassa frequenza. CoolMOS™ S7 vanta i valori Rdson più bassi per un MOSFET SJ HV, con un distintivo aumento dell'efficienza energetica.
La tecnologia CoolMOS™ S7 consente 22 mΩ di RDS(on) nell'ingombro più piccolo
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