MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 1.2 mΩ Miglioramento, 313 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie IPT012N06NATMA1

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Codice RS:
273-5351
Codice costruttore:
IPT012N06NATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

313A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PG-HSOF-8

Serie

IPT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

106nC

Dissipazione di potenza massima Pd

214W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEC61249-2-21, JEDEC1, RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon è ottimizzato per applicazioni ad alta corrente come carrelli elevatori, veicoli elettrici leggeri, POL e telecomunicazioni. Questo contenitore è una soluzione perfetta per le applicazioni ad alta potenza in cui sono richiesti la massima efficienza, un eccellente comportamento EMI, nonché il miglior comportamento termico e la riduzione dello spazio. È qualificato in conformità a JEDEC1 per le applicazioni target.

Senza alogeni

Conforme a RoHS

Placcatura senza piombo

Superiore resistenza termica

Testato al 100% contro le valanghe

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