MOSFET Infineon, canale N 60 V, 1.2 mΩ Miglioramento, 313 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie IPT012N06NATMA1

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Codice RS:
273-5351
Codice costruttore:
IPT012N06NATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

313A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PG-HSOF-8

Serie

IPT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

214W

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

106nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEC61249-2-21, JEDEC1, RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon è ottimizzato per applicazioni ad alta corrente come carrelli elevatori, veicoli elettrici leggeri, POL e telecomunicazioni. Questo contenitore è una soluzione perfetta per le applicazioni ad alta potenza in cui sono richiesti la massima efficienza, un eccellente comportamento EMI, nonché il miglior comportamento termico e la riduzione dello spazio. È qualificato in conformità a JEDEC1 per le applicazioni target.

Senza alogeni

Conforme a RoHS

Placcatura senza piombo

Superiore resistenza termica

Testato al 100% contro le valanghe

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